Команда из российских, японских и американских исследователей провела изучение и систематизацию информации о двухслойном графене, который сейчас считают потенциальной основой для создания электронных и оптических устройств будущего.

Александр Рахманов, который работает в Московском Физтехе в Долгопрудном, сказал, что полученные им опыт и впечатления в ходе исследования дают все основания утверждать о дальнейшей большой заинтересованности теоретиков и практиков в графене.

Графен является материалом, который состоит из атомов углерода. Эти частицы образуют один слой и соединены такой структурой химических связей, которая очень напоминает вид созданных пчелами сот. Создали графен Андрей Гейм и Константин Новоселов. Они имеют российские корни, однако работают на Туманном Альбионе. За свою разработку ученые были награждены Нобелевской премией. Награду они получили в 2010-м году. Конечно, за этим событием следили тысячи ученых, которые всегда читают различные научные статьи. Часто для этого светила науки заходят на веб-страницу www.innov.ru/science/about/ и знакомятся с самыми новыми достижениями отечественных ученых.

Главная особенность графена - уникальные свойства, часть которых не имеет пользы. Так, ученые обнаружили, что превращение его в полупроводник представляет собой очень сложный процесс. В результате из-за этого он мало подходит для создания электроники, лазеров, солнечных панелей и источников световых лучей. Кроме этого он хрупкий, из-за чего его нельзя растягивать.

По словам Рахманова, аналогом графена может выступать его двухслойный вариант. В нем один слой «плоского» углерода размещается над другим и соединен с ним благодаря электростатическому притяжению. Ученый отмечает, что трехлетние эксперименты с такой альтернативой позволили выявить много интересных особенностей, однако из-за того, что результаты исследований не систематизированы, физикам сложно понять, каким образом работают эти структуры.

При систематизации данных было установлено, что электрические свойства этих «бутербродов» зависят от особенностей смещения слоев.